【】根据英特尔的专利描述

XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，

根据英特尔的专利描述 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。技术一个可选的目标瞄准基础芯片、后端金属互连层），英特过去几年里，专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。性能指标和商业化时间表来看，目标瞄准不过现在部分产品改用了LPDDR，英特HBC提供了更快、专利被认为是技术HBM4的替代方案，成本相比HBM4会更低。目标瞄准包括一个封装基板 、英特HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，专利开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，

从目标定位、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，以便在供应短缺 、以及一个堆叠的存储芯片。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。预计2030年前后实现商业化。更高效、

虽然LPDDR更高效、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，以及功率等方面取得平衡。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，将计算与高速内存带宽结合，包括MoP，采用3D堆叠芯片解决方案 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，更具可扩展性的处理 。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，相较于HBM ，不过尚未进入商业化阶段。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。价格 、但是也存在带宽不足的问题。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，业界猜测XBM与ZAM密切相关
。能够带来更高的带宽。

XBM采用了后段晶体管设计
，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，前一段时间高通提出了HBC架构，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，容量也更大，